图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

NTD2955PT4G 

产品描述

MOSFET PFET 60V 12A 0.155R DPAK

内部编号

277-NTD2955PT4G

生产厂商

ON Semiconductor

onsemi

#1

数量:0
最小起订量:1
美国费城
当天发货,5-8个工作日送达.
立即询价

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

NTD2955PT4G产品详细规格

规格书 NTD2955PT4G datasheet 规格书
NTD2955PT4G datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 2,500
FET 型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 60V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 12A
Rds(最大)@ ID,VGS 180 mOhm @ 6A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 4V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 30nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 750pF @ 25V
功率 - 最大 55W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装 DPAK-3
包装材料 Tape & Reel (TR)
最大门源电压 ±20
安装 Surface Mount
包装宽度 6.22(Max)
PCB 2
最大功率耗散 55000
最大漏源电压 60
欧盟RoHS指令 Compliant
最大漏源电阻 180@10V
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -55
供应商封装形式 DPAK
标准包装名称 DPAK
最高工作温度 175
渠道类型 P
包装长度 6.73(Max)
引脚数 3
通道模式 Enhancement
包装高度 2.38(Max)
最大连续漏极电流 12
封装 Tape and Reel
标签 Tab
铅形状 Gull-wing
工厂包装数量 2500
产品种类 MOSFET
晶体管极性 P-Channel
配置 Single
连续漏极电流 - 12 A
安装风格 SMD/SMT
RDS(ON) 155 mOhms
功率耗散 55 W
最低工作温度 - 55 C
封装/外壳 DPAK
典型关闭延迟时间 26 ns
上升时间 45 ns
最高工作温度 + 175 C
漏源击穿电压 - 60 V
RoHS RoHS Compliant
下降时间 48 ns

NTD2955PT4G系列产品

NTD2955PT4G也可以通过以下分类找到

NTD2955PT4G相关搜索

订购NTD2955PT4G.产品描述:MOSFET PFET 60V 12A 0.155R DPAK. 生产商: ON Semiconductor.芯天下有低价

咨询QQ

综合类:

热线电话

  • 北京
  • 010-57196138
    010-56429953
    010-62110889
    010-62153988
    010-82138869
    010-82149028
    010-62178861
    010-82149488
    010-82149008
    010-82149921
    010-62155488
    010-82149466
    010-62168837
    010-62165661
    010-56429923
  • 深圳
  • 0755-83975736
    0755-82511472
    0755-83997440
    0755-83247615
  • 苏州
  • 0512-67683728
    0512-67483580
    0512-67687578
    0512-67684200
    0512-68796728
  • 传真
  • 010-62178897;  0755-83995470;
  • 邮件: rfq@oneic.com